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    1. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

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      模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

        一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

      模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

        1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。 2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

        3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

        4. 兩種載流子 ----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱(chēng)為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

        *P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴,少子是電子)。

        *N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子,少子是空穴)。

        6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

        *載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱(chēng)為體電阻。 7. PN結(jié)

        * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通,反偏截止。

        * PN結(jié)的導(dǎo)通電壓---硅材料約為0.6~0.8V,鍺材料約為0.2~0.3V。 8. PN結(jié)的伏安特性

        二. 半導(dǎo)體二極管

        *單向?qū)щ娦?-----正向?qū),反向截止?*二極管伏安特性----同PN結(jié)。

        *正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。 *死區(qū)電壓------硅管0.5V,鍺管0.1V。

        3.分析方法------將二極管斷開(kāi),分析二極管兩端電位的高低:若 V陽(yáng) >V陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽(yáng)

        該式與伏安特性曲線(xiàn)

        的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

        2) 等效電路法

        直流等效電路法

        *總的解題手段----將二極管斷開(kāi),分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰( 正偏 ),二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽(yáng)

        微變等效電路法

        三. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

        *穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū),所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

        三極管及其基本放大電路

        一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類(lèi)型及特點(diǎn) 1.類(lèi)型---分為NPN和PNP兩種。

        2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄,且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高,與基區(qū)接觸面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高,與基區(qū)接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài)

        2. 三極管內(nèi)各極電流的分配

        * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件

        式子

        稱(chēng)為穿透電流。

        3. 共射電路的特性曲線(xiàn)

        *輸入特性曲線(xiàn)---同二極管。

        * 輸出特性曲線(xiàn)

        (飽和管壓降,用UCES表示

        放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。 截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。 飽和區(qū)---發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏。 4. 溫度影響

        溫度升高,輸入特性曲線(xiàn)向左移動(dòng)。

        溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。 三. 低頻小信號(hào)等效模型(簡(jiǎn)化) rbe---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻,

        β---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比, 常用β表示;

        四. 基本放大電路組成及其原則

        1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。 五. 放大電路的圖解分析法 1. 直流通路與靜態(tài)分析

        *概念---直流電流通的回路。 *畫(huà)法---電容視為開(kāi)路。 *作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

        *直流負(fù)載線(xiàn)---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線(xiàn)。

        *電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

        1)改變Rb :Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線(xiàn)上下移動(dòng)。

        2)改變Rc :Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線(xiàn)上移動(dòng)。 3)改變VCC:直流負(fù)載線(xiàn)平移,Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析

        *概念---交流電流流通的回路

        *畫(huà)法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 *作用---分析信號(hào)被放大的過(guò)程。

        *交流負(fù)載線(xiàn)--- 連接Q點(diǎn)和V CC點(diǎn) V CC= UCEQ+ICQR L的 直線(xiàn)。

        3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線(xiàn)性失真

        (1)截止失真

        *產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低

        *失真現(xiàn)象---NPN管削頂,PNP管削底。 *消除方法---減小Rb,提高Q。 (2) 飽和失真

        *產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高

        *失真現(xiàn)象---NPN管削底,PNP管削頂。 *消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC 。

        4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍

        (1) Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 (2)范圍

        *當(dāng)(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ )時(shí),受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

        *當(dāng)(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ )時(shí),受飽和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQ-UCES)。

        *當(dāng)(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ ),放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六. 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析

        (1)靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

        (2)Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

        欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū),應(yīng)滿(mǎn)足RB>βRc 。 2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析

        * 放大倍數(shù)

        * 輸入電阻

        * 輸出電阻

        集成運(yùn)放:將管線(xiàn)結(jié)合在一起制成的具有處理模擬信號(hào)的電路稱(chēng)為運(yùn)算放大電路。

        集成運(yùn)算放大電路中的元器件的參數(shù)具有良好的一致性。 二:集成運(yùn)算

        放大電路的組成:

        1. 輸入級(jí)(差模信號(hào),Up-Un),抑制溫漂。

        2. 中間級(jí)(復(fù)合管放大電路)。

        3. 輸出級(jí)(互補(bǔ)輸出電路)。

        4. 偏置電路(電流源電路為其提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn))。 三:抑制溫漂(零點(diǎn)漂移)的辦法:

        1. 直流負(fù)反饋

        2. 溫度補(bǔ)償(利用熱敏元件來(lái)抵消管子的變化)

        3. 構(gòu)成差分放大電路

        四:失真:

        1. 線(xiàn)性失真(我們所要的,構(gòu)成電路的放大)

        2. 非線(xiàn)性失真:a:飽和失真b:截止失真。

        3. 交越失真。(直接耦合互補(bǔ)輸出級(jí))。

        五:多級(jí)放大電路的耦合方式:

        1. 直接耦合:低頻特性好,便與集成化;存在溫漂問(wèn)題。

        2. 阻容耦合:便于計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn),低頻特性差。

        3. 變壓器耦合:低頻特性差,實(shí)現(xiàn)阻抗變換;常用于調(diào)諧放大電路,

        功率放大電路。

        4. 光電耦合:

        六:3種最基本的單級(jí)放大電路。

        1. 共發(fā)射極電路具有集電極電阻Rc將三極管集電極電流的變化轉(zhuǎn)化成集電極電壓的變化。

        2. 共集電極單級(jí)放大器無(wú)集電極負(fù)載電阻,輸出信號(hào)取自發(fā)射級(jí)(發(fā)射級(jí)電壓跟隨器)。 原因:三級(jí)管進(jìn)入放大工作狀態(tài)后,基極與發(fā)射級(jí)之間的PN結(jié)已處于導(dǎo)通狀態(tài),這一PN結(jié)導(dǎo)通后壓降大小基本不變,硅管0.7v。

        3. 共基極放大器。

        七:正弦波振蕩電路的組成:

        1. 放大電路

        2. 選頻網(wǎng)絡(luò)

        3. 正反饋網(wǎng)絡(luò)

        4. 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)。

        八:負(fù)反饋對(duì)放大電路特性的影響:

        1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)

        2. 改變輸入輸出電阻:

        串聯(lián)負(fù)反饋增大輸入電阻

        并聯(lián)負(fù)反饋減小輸入電阻

        電壓負(fù)反饋減小輸出電阻

        電流負(fù)反饋增大輸出電阻

        九:引入負(fù)反饋的原則:

        1. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)引入直流負(fù)反饋,為了改善電路的動(dòng)態(tài)性能則應(yīng)引入交流負(fù)反饋。

        2. 為了穩(wěn)定輸出電壓(即減小輸出電阻,增強(qiáng)帶負(fù)載能力),應(yīng)引入電壓負(fù)反饋

        3. 為了穩(wěn)定輸出電流(即增大輸出電阻)應(yīng)引入電流負(fù)反饋

        4. 為了提高輸出電阻(即減小放大電路下信號(hào)源所取的電流)應(yīng)引入串聯(lián)負(fù)反饋

        5. 為了減小輸入電阻應(yīng)引入并聯(lián)負(fù)反饋

        十:交流負(fù)反饋的四種組態(tài):

        1. 電壓串聯(lián)

        2. 電流串聯(lián)

        3. 電壓并聯(lián)

        4. 電流并聯(lián)

        十一:負(fù)反饋的四大好處:

        1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)

        2. 改變電路的輸入輸出電阻

        3. 展寬頻帶

        4. 減小非線(xiàn)性失真


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